はんだ付けガイドライン

Versal アダプティブ SoC パッケージおよびピン配置 アーキテクチャ マニュアル (AM013)

Document ID
AM013
Release Date
2023-09-28
Revision
1.4 日本語

表面実装部品の使用および管理に関しては、はんだリフロー プロセスの動力学およびそのプロセスの各段階と最終結果の関連性について十分に理解する必要があります。

リフロー プロセスの主な段階は次のとおりです。

  • はんだ粒子をペースト状に融解する
  • 結合する表面に塗布する
  • はんだを凝固させてしっかりと金属を結合させる

表面実装コンポーネント本体のピーク リフロー温度はパッケージ サイズによって異なりますが、鉛フリー パッケージでは 250°C 以下 (ドライ リワークのみの場合は 260°C) で、SnPb 共晶パッケージでは 220°C とし、これらの温度を超えないようにします。1 つのボード上に複数の BGA がある場合、周囲コンポーネントが異なるため、AMDではすべての BGA 位置で変動温度を確認することを推奨しています。

赤外線リフロー (IR) プロセスは、装置や荷重に強く依存します。温度抑制が十分でない場合、コンポーネントがオーバーヒートします。不平衡な荷重は、ボード上に大きな温度変化をもたらす可能性があります。これらのガイドラインは、ユーザーによってコンポーネントが破損されないようにすることを目的としたものです。実際の温度プロファイルについては、これらのガイドラインを使用するユーザーが作成する必要があります。パッケージの湿度/リフローの分類およびパッケージのリフロー条件は、「Joint IPC/JEDEC 規格 J-STD-020C」を参照してください。

重要: 初期配置およびリフロー プロセスの後、デバイスを 2 回以上追加でリフローしないでください。また、デバイスはボードから取り外さないでください。2 回以上リワークすると、デバイスの回復不能な損傷を招く可能性があります。