推奨動作条件

表 1. 推奨動作条件
シンボル	説明^1、2	最小	標準	最大	単位
プロセッシングシステム
V_{CC_PSINTFP} ³	PS のフル電力ドメイン電源電圧です。	0.808	0.850	0.892	V
	-1LI および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS のフル電力ドメイン電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
	-3E デバイス: PS のフル電力ドメイン電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_{CC_PSINTLP}	PS の低電力ドメイン電源電圧です。	0.808	0.850	0.892	V
	-1LI および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS の低電力ドメイン電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
	-3E デバイス: PS の低電力ドメイン電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_{CC_PSAUX}	PS の補助電源電圧	1.710	1.800	1.890	V
V_{CC_PSINTFP_DDR} ³	PS の DDR コントローラーおよび PHY 電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
	-1LI および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS の DDR コントローラーおよび PHY 電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
	-3E デバイス: PS の DDR コントローラーおよび PHY 電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_{CC_PSADC}	GND_PSADC に対する PS SYSMON の ADC 電源電圧	1.710	1.800	1.890	V
V_{CC_PSPLL}	PS の PLL 電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_{PS_MGTRAVCC} ⁴	PS-GTR 電源電圧	0.825	0.850	0.875	V
V_{PS_MGTRAVTT} ⁴	PS-GTR 終端電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_{CCO_PSDDR} ⁵	PS の DDR I/O 電源電圧	1.06	–	1.575	V
V_{CC_PSDDR_PLL}	PS の DDR PLL 電源電圧です。	1.710	1.800	1.890	V
V_{CCO_PSIO} ⁶	PS の I/O 電源電圧	1.710	–	3.465	V
V_PSIN	PS の I/O 入力電圧	-0.200	–	V_{CCO_PSIO} + 0.200	V
V_PSIN	PS の DDR I/O 入力電圧	-0.200	–	V_{CCO_PSDDR} + 0.200	V
V_{CC_PSBATT} ⁷	PS のバックアップバッテリ付き RAM およびリアルタイムクロック (RTC) 電源電圧	1.200	–	1.500	V
プログラマブルロジック
V_CCINT	PL の内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
	-1LI および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PL の内部電源電圧	0.698	0.720	0.742	V
	-3E デバイス: PL の内部電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_{CCINT_IO} ⁸	PL I/O バンクの内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
	-1LI および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PL IO バンクの内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
	-3E デバイス: PL I/O バンクの内部電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_CCBRAM	ブロック RAM 電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_CCBRAM	-3E デバイス: ブロック RAM 電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_CCAUX	補助電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_CCO ^{, 9}	HD I/O バンクの電源電圧	1.140	–	3.400	V
V_CCO ^{, 9}	HP I/O バンクとコンフィギュレーションバンク 0 の電源電圧	0.950	–	1.900	V
V_{CCAUX_IO} ¹⁰	補助 I/O 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_IN ^{11, 12}	I/O 入力電圧	-0.200	–	V_CCO + 0.200	V
I_IN ¹³	クランプダイオードが順方向バイアスであるときの、電源がオンあるいはオフのバンクにある (PL または PS の) ピンの最大電流	–	–	10	mA
GTH または GTY トランシーバー
V_MGTAVCC ¹⁴	GTH/GTY トランシーバーのアナログ電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_MGTAVTT ¹⁴	GTH/GTY トランスミッターおよびレシーバー終端回路のアナログ電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_MGTVCCAUX ¹⁴	トランシーバーの補助アナログクワッド QPLL 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_MGTAVTTRCAL ¹⁴	GTH/GTY トランシーバーカラムの抵抗キャリブレーション回路のアナログ電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
VCU
V_{CCINT_VCU}	VCU の内部電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
PL システムモニター
V_CCADC	GNDADC に対する PL システムモニター電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_REFP	GNDADC に対する PL システムモニター外部基準電圧	1.200	1.250	1.300	V
温度
T_j ¹⁵	拡張 (E) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲¹⁶	0	–	100	°C
	インダストリアル (I) 温度グレードデバイスのジャンクション温度範囲	-40	–	100	°C
	オートモーティブ (Q) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲	-40	–	125	°C
	高信頼性 (M) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲	-55	–	125	°C
	eFUSE プログラミング向けジャンクション温度範囲	-40	–	125	°C
すべての電圧は GND を基準としています (電源が存在することを前提として)。電源分配システムのデザインについては、『UltraScale アーキテクチャ PCB デザインユーザーガイド』 (UG583) を参照してください。 V_{CC_PSINTFP_DDR} は V_{CC_PSINTFP} に接続してください。表の各電圧に、『UltraScale アーキテクチャ PCB デザインユーザーガイド』 (UG583) で説明されているフィルターが必要です。特定のメモリ規格の許容誤差要件に応じて、1.2V、1.35V、1.5V ±5% および 1.1V +0.07V/–0.04V の V_{CCO_PSDDR} を含みます。 PS の I/O 電源バンクすべてに適用されます。1.8V、2.5V、および 3.3V ±5% の V_{CCO_PSIO} を含みます。 V_{CC_PSBATT} は最大 1.89V まで許容できます。バッテリバックアップ付き RAM または RTC を使用しない場合は、V_{CC_PSBATT} を GND または V_{CC_PSAUX} に接続します。 V_{CCINT_IO} は V_CCBRAM に接続してください。 1.0V (HP I/O のみ)、1.2V、1.35V、1.5V、1.8V、2.5V (HD I/O のみ) ±5%、および 3.3V (HD I/O のみ) +3/–5% の V_CCO を含みます。 V_{CCAUX_IO} は V_CCAUX に接続してください。より低い絶対電圧値が常に適用されます。 POR_OVERRIDE ピンの V_IN はほかとは異なります。POR_OVERRIDE は必ず GND (デフォルト) または V_CCINT に接続してください。詳細は、コンフィギュレーションのスイッチ特性の T_POR を確認してください。各バンクの合計が 200mA を超えないようにしてください。表の各電圧に、『UltraScale アーキテクチャ GTH トランシーバーユーザーガイド』 (UG576) または『UltraScale アーキテクチャ GTY トランシーバーユーザーガイド』 (UG578) で説明されているフィルターが必要です。 AMDでは、『UltraScale アークテクチャシステムモニターユーザーガイド』 (UG580) の記載に従ってシステムモニターを使用し、デバイスの T_j を計測することを推奨します。SYSMON 温度計測誤差 ( 表 1 および表 1 で説明) を考慮する必要があります。たとえば 1.25V の外部基準電圧を使用する PL システムモニターを使用し、SYSMON で 97°C と報告された場合、±3°C の測定誤差があります。97°C は、調整された最大値 T_j (100°C – 3°C = 97°C) と見なされます。 -2LE スピード/温度グレードと表記されているデバイスは、100°C ～ 110°C のジャンクション温度で限られた時間動作できます。動作電圧 (標準電圧の 0.85V または低電圧の 0.72V) に関係なく、タイミングパラメーターは 110°C を下回る温度でのスピードファイルと同じように 110°C のスピードファイルに準拠します。最大 T_j = 110°C までの動作はデバイスの寿命期間の 1% に限定されます。この 1% を越えなければ連続または一定間隔でデバイスを動作させることができます。