プログラマブル ロジック (PL) のパフォーマンス特性

Zynq UltraScale+ RFSoC データシート: DC 特性および AC スイッチ特性 (DS926)
Document ID
DS926
Release Date
2023-05-16
Revision
1.12 日本語

ここでは、Zynq UltraScale+ RFSoCにインプリメントされた一般的なファンクションおよびデザインのパフォーマンス特性を示します。また、AC スイッチ特性 に記載されているガイドラインにも従っています。

次の表に示す LVDS パフォーマンスの I/O バンク タイプは High Performance (HP) または High Density (HD) のいずれかです。

LVDS コンポーネント モードの場合:

  • HP I/O バンクの入力/出力について、Vivado ツールではすべてのスピードグレードでクロック周波数が 312.9MHz に制限されます。
  • HP I/O バンクの IDDR について、Vivado ツールではすべてのスピードグレードでクロック周波数が 625.0MHz に制限されます。
  • HP I/O バンクの ODDR について、Vivado ツールではすべてのスピードグレードでクロック周波数が 625.0MHz に制限されます。
表 1. LVDS コンポーネント モードのパフォーマンス
説明 I/O バンクのタイプ スピード グレードおよび VCCINT 動作電圧 単位
0.85V 0.72V
-2 -1 -2 -1
最小 最大 最小 最大 最小 最大 最小 最大
LVDS TX DDR (OSERDES 4:1、8:1) HP 0 1250 0 1250 0 1250 0 1250 Mb/s
LVDS TX SDR (OSERDES 2:1、4:1) HP 0 625 0 625 0 625 0 625 Mb/s
LVDS RX DDR (ISERDES 1:4、1:8) 1 HP 0 1250 0 1250 0 1250 0 1250 Mb/s
LVDS RX DDR HD 0 250 0 250 0 250 0 250 Mb/s
LVDS RX SDR (ISERDES 1:2、1:4) 1 HP 0 625 0 625 0 625 0 625 Mb/s
LVDS RX SDR HD 0 125 0 125 0 125 0 125 Mb/s
  1. LVDS レシーバーの最大パフォーマンスは通常、アプリケーションに依存します。パッケージ スキューは含まれておらず、PCB 配線で除去する必要があります。
表 2. LVDS ネイティブ モードのパフォーマンス
説明 1、2 DATA_WIDTH I/O バンクのタイプ スピード グレードおよび VCCINT 動作電圧 単位
0.85V 0.72V
-2E/-2I/-2LE -1E/-1I/

-1M/-1LI

 -2LE - 2LI -1LI
最小 最大 最小 最大 最小 最大 最小 最大 最小 最大
LVDS TX DDR (TX_BITSLICE) 4 HP 375 1600 375 1600 375 1400 375 1260 375 1260 Mb/s
8 375 1600 375 1600 375 1600 375 1600 375 1600 Mb/s
LVDS TX SDR (TX_BITSLICE) 4 HP 187.5 800 187.5 800 187.5 700 187.5 630 187.5 630 Mb/s
8 187.5 800 187.5 800 187.5 800 187.5 800 187.5 800 Mb/s
LVDS RX DDR (RX_BITSLICE) 3 4 HP 375 1600 4 375 1600 4 375 1400 4 375 1260 4 375 1260 4 Mb/s
8 375 1600 4 375 1600 4 375 1600 4 375 1600 4 375 1600 4 Mb/s
LVDS RX SDR (RX_BITSLICE) 3 4 HP 187.5 800 187.5 800 187.5 700 187.5 630 187.5 630 Mb/s
8 187.5 800 187.5 800 187.5 800 187.5 800 187.5 800 Mb/s
  1. ネイティブ モードは、Vivado Design Suite で入手可能な High-Speed SelectIO Interface Wizard でサポートされています。ソース同期インターフェイスを前提としたパフォーマンス値です。
  2. PLL の設定により、許容データ レートの最小値が制限されることがあります。たとえば、CLKOUTPHY_MODE = VCO_HALF と設定した PLL を使用する場合、最小周波数は PLL_FVCOMIN/2 となります。
  3. LVDS レシーバーの最大パフォーマンスは通常、アプリケーションに依存します。パッケージ スキューは含まれておらず、PCB 配線で除去する必要があります。
  4. 非同期レシーバーの性能は、-2E、-2I、および -2LE スピード グレードで 1300Mb/s に、-2LI、-1E、-1I、-1M、および -1LI スピード グレードで 1250Mb/s に制限されます。
表 3. MIPI D-PHY パフォーマンス
説明 I/O バンクのタイプ スピード グレードおよび VCCINT 動作電圧 単位
0.85V 0.72V
-2 -1 -2 -1
MIPI D-PHY トランスミッターまたはレシーバー HP 1500 1 1260 2 1260 2 1260 Mb/s
  1. Vivado Design Suite V2019.1 またはそれ以前のバージョンで設計する場合、Zynq UltraScale+ RFSoC の性能は 1500Mb/s で指定されます。XC デバイスの性能は、Vivado Design Suite v2019.1.1 またはそれ以降のバージョンで設計する場合、2500Mb/s で指定されます。XQ デバイスは、1500Mb/s 仕様で指定されます。
  2. Vivado Design Suite V2019.1 またはそれ以前のバージョンで設計する場合、Zynq UltraScale+ RFSoC の性能は 1260Mb/s で指定されます。XC デバイスの性能は、Vivado Design Suite v2019.1.1 またはそれ以降のバージョンで設計する場合、2500Mb/s で指定されます。XQ デバイスは、1260 Mb/s で指定されます。
表 4. LVDS ネイティブ モードの 1000BASE-X のサポート
説明 1 I/O バンクのタイプ スピード グレードおよび VCCINT 動作電圧
0.85V 0.72V
-2 -1 -2 -1
1000BASE-X HP あり
  1. 1000BASE-X サポートは、CSMA/CD Access Method and Physical Layer Specifications (IEEE Std 802.3-2008) の IEEE 規格に基づいています。

次の表に、Zynq UltraScale+ RFSoC メモリ PHY を使用する場合に適用可能なメモリ規格とその最大データ レートを示します。サポートされるメモリ インターフェイス規格の一覧とその詳細な仕様については、 メモリ インターフェイス を参照してください。メモリ インターフェイスの最終的な性能は、Vivado Design Suite でインプリメントされた完全なデザイン、 『UltraScale アーキテクチャ PCB デザイン ユーザー ガイド』 (UG583) (UG583) に記載されているガイドライン、電気的解析、およびシステムの特性評価によって判断されます。

表 5. メモリ インターフェイスの最大物理インターフェイス (PHY) レート
メモリ規格 DRAM タイプ スピード グレードおよび VCCINT 動作電圧 単位
0.85V 0.72V
-2E/-2I/-2LE -1E/-1I/-1M/-1LI -2LE - 2LI -1LI
DDR4 シングル ランク コンポーネント 2666 2400 2400 2400 2133 Mb/s
1 ランク DIMM 1、2、3 2400 2133 2133 2133 1866 Mb/s
2 ランク DIMM 1、4 2133 1866 1866 1866 1600 Mb/s
4 ランク DIMM 1、5 1600 1333 1333 1333 N/A Mb/s
DDR3 シングル ランク コンポーネント 2133 2133 2133 1866 1866 Mb/s
1 ランク DIMM 1、2 1866 1866 1866 1600 1600 Mb/s
2 ランク DIMM 1、4 1600 1600 1600 1333 1333 Mb/s
4 ランク DIMM 1、5 1066 1066 1066 800 800 Mb/s
DDR3L シングル ランク コンポーネント 1866 1866 1866 1600 1600 Mb/s
1 ランク DIMM 1、2 1600 1600 1600 1333 1333 Mb/s
2 ランク DIMM 1、4 1333 1333 1333 1066 1066 Mb/s
4 ランク DIMM 1、5 800 800 800 606 606 Mb/s
QDR II+ シングル ランク コンポーネント 6 633 600 600 550 550 MHz
RLDRAM 3 シングル ランク コンポーネント 1200 1066 1066 933 933 MHz
QDR IV XP シングル ランク コンポーネント 1066 1066 933 933 933 MHz
LPDDR3 シングル ランク コンポーネント 1600 1600 1600 1600 1600 Mb/s
  1. DIMM (Dual In-Line Memory Module) は RDIMM、SODIMM、UDIMM、および LRDIMM を含みます。
  2. 1 ランク 1 スロット、DDP 2 ランク、LRDIMM 2 または 4 ランク 1 スロットを含みます。
  3. -2 スピード グレード (VCCINT = 0.85V) の DDR4 DDP コンポーネントの場合、6 つ以上の DDP デバイスの最大データ レートは 2133Mb/s です。-2 スピードグレード (VCCINT = 0.85V) の場合、5 つ以下の DDP デバイスではシングル ランク DIMM データ レートを使用してください。
  4. 2 ランク 1 スロット、1 ランク 2 スロット、LRDIMM 2 ランク 2 スロットを含みます。
  5. 2 ランク 2 スロット、4 ランク 1 スロットを含みます。
  6. QDRII+ のパフォーマンス仕様は、バースト長 4 (BL = 4) のインプリメンテーションに対応するものです。