推奨動作条件

表 1. 推奨動作条件
シンボル	説明^1、2	最小	標準	最大	単位
プロセッシングシステム
V_{CC_PSINTFP} ³	PS のフル電力ドメイン電源電圧です。	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSINTFP} ³	-1LI、-2LI、および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS のフル電力ドメイン電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSINTLP}	PS の低電力ドメイン電源電圧です。	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSINTLP}	-1LI、-2LI、および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS の低電力ドメイン電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSAUX}	PS の補助電源電圧	1.710	1.800	1.890	V
V_{CC_PSINTFP_DDR} ³	PS の DDR コントローラーおよび PHY 電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSINTFP_DDR} ³	-1LI、-2LI、および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PS の DDR コントローラーおよび PHY 電源電圧	0.808	0.850	0.892	V
V_{CC_PSADC}	GND_PSADC に対する PS SYSMON の ADC 電源電圧	1.710	1.800	1.890	V
V_{CC_PSPLL}	PS の PLL 電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_{PS_MGTRAVCC} ⁴	PS-GTR 電源電圧	0.825	0.850	0.875	V
V_{PS_MGTRAVTT} ⁴	PS-GTR 終端電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_{CCO_PSDDR} ⁵	PS の DDR I/O 電源電圧	1.06	–	1.575	V
V_{CC_PSDDR_PLL}	PS の DDR PLL 電源電圧です。	1.710	1.800	1.890	V
V_{CCO_PSIO} ⁶	PS の I/O 電源電圧	1.710	–	3.465	V
V_PSIN	PS の I/O 入力電圧	-0.200	–	V_{CCO_PSIO} + 0.200	V
V_PSIN	PS の DDR I/O 入力電圧	-0.200	–	V_{CCO_PSDDR} + 0.200	V
V_{CC_PSBATT} ⁷	PS のバックアップバッテリ付き RAM およびリアルタイムクロック (RTC) 電源電圧	1.200	–	1.500	V
プログラマブルロジック
V_CCINT	PL の内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_CCINT	-1LI、-2LI、および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PL の内部電源電圧	0.698	0.720	0.742	V
V_{CCINT_IO} ⁸	PL I/O バンクの内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_{CCINT_IO} ⁸	-1LI、-2LI、および -2LE (V_CCINT = 0.72V) デバイス: PL IO バンクの内部電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_CCBRAM	ブロック RAM 電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_CCAUX	補助電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_CCO ^{, 9}	HD I/O バンクの電源電圧	1.140	–	3.400	V
V_CCO ^{, 9}	HP I/O バンクの電源電圧	0.950	–	1.900	V
V_{CCAUX_IO} ¹⁰	補助 I/O 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_IN ¹¹	I/O 入力電圧	-0.200	–	V_CCO + 0.200	V
I_IN ¹²	クランプダイオードが順方向バイアスであるときの、電源がオンあるいはオフのバンクにある (PL または PS の) ピンの最大電流	–	—	10	mA
GTY トランシーバー
V_MGTAVCC ¹³	GTY トランシーバーのアナログ電源電圧	0.873	0.900	0.927	V
V_MGTAVTT ¹³	GTY トランスミッターおよびレシーバー終端回路のアナログ電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_MGTVCCAUX ¹³	トランシーバーの補助アナログクワッド QPLL 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_MGTAVTTRCAL ¹³	GTY トランシーバーカラムの抵抗キャリブレーション回路のアナログ電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
RF-ADC、RF-DAC、および SD-FEC
V_{ADC_AVCC}	ZU2xDR、ZU39DR、ZU4xDR の ADC および PLL 電源電圧	0.897	0.925	0.953	V
V_{ADC_AVCC}	ZU6xDR の ADC および PLL 電源電圧	0.980	1.010	1.040	V
V_{ADC_AVCCAUX}	入力バッファーおよび PLL 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_{DAC_AVCC}	DAC および PLL 電源電圧	0.897	0.925	0.953	V
V_{DAC_AVCCAUX}	出力バッファーおよび PLL 電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_{DAC_AVTT} ¹⁴	終端電圧、オンダイ 50Ω 終端抵抗: 20mA	2.425	2.500	2.575	V
	終端電圧、オンダイ 50Ω 終端抵抗: 32mA	2.910	3.000	3.090	V
	終端電圧、オンダイ 50Ω 終端抵抗、VOP (Variable Output Power) 無効¹⁵	2.425	2.500	2.575	V
	終端電圧、オンダイ 50Ω 終端抵抗、VOP 有効 ¹⁵	2.910	3.000	3.090	V
V_{CCINT_AMS} ¹⁶	デジタルダウンコンバーター電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
V_CCSDFEC ¹⁷	SD-FEC 電源電圧	0.825	0.850	0.876	V
PL システムモニター
V_CCADC	GNDADC に対する PL システムモニター電源電圧	1.746	1.800	1.854	V
V_REFP	GNDADC に対する PL システムモニター外部基準電圧	1.200	1.250	1.300	V
温度
T_j ¹⁸	拡張 (E) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲¹⁹	0	–	100	°C
	インダストリアル (I) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲²⁰	-40	–	100	°C
	防衛 (M) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲	-55	–	125	°C
	eFUSE プログラミング向けジャンクション温度範囲	-40	–	125	°C
すべての電圧は GND を基準としています (電源が存在することを前提として)。電源分配システムのデザインについては、『UltraScale アーキテクチャ PCB デザインユーザーガイド』 (UG583) を参照してください。 V_{CC_PSINTFP_DDR} は V_{CC_PSINTFP} に接続してください。表の各電圧に、『UltraScale アーキテクチャ PCB デザインユーザーガイド』 (UG583) で説明されているフィルターが必要です。特定のメモリ規格の許容誤差要件に応じて、1.2V、1.35V、1.5V ±5% および 1.1V +0.07V/–0.04V の V_{CCO_PSDDR} を含みます。 PS の I/O 電源バンクすべてに適用されます。1.8V、2.5V、および 3.3V ±5% の V_{CCO_PSIO} を含みます。 V_{CC_PSBATT} は最大 1.89V まで許容できます。バッテリバックアップ付き RAM または RTC を使用しない場合は、V_{CC_PSBATT} を GND または V_{CC_PSAUX} に接続します。 V_{CCINT_IO} は V_CCBRAM に接続してください。 1.0V (HP I/O のみ)、1.2V、1.35V、1.5V、1.8V、2.5V (HD I/O のみ) ±5%、および 3.3V (HD I/O のみ) +3/–5% の V_CCO を含みます。 V_{CCAUX_IO} は V_CCAUX に接続してください。より低い絶対電圧値が常に適用されます。各バンクの合計が 200mA を超えないようにしてください。表の各電圧に、『UltraScale アーキテクチャ GTY トランシーバーユーザーガイド』 (UG578) で説明されているフィルターが必要です。 ZU2xDR または ZU39DR デバイスの場合、RF-DAC 出力電流の振幅は 3V 終端に対して 32mA に設定する必要があります。 VOP 機能と DC カップリングモードを使用する場合、VOP の範囲は低減されます。サポートされている出力電力範囲の詳細は、RF-DAC の電気的特性を参照してください。 AMDは、V_{CCINT_AMS} を V_CCBRAM に接続することを推奨します。 V_CCSDFEC は V_CCBRAM に接続してください。 AMDでは、『UltraScale アークテクチャシステムモニターユーザーガイド』 (UG580) の記載に従ってシステムモニターを使用し、デバイスの T_j を計測することを推奨します。SYSMON 温度計測誤差 ( 表 1 および表 1 で説明) を考慮する必要があります。たとえば 1.25V の外部基準電圧を使用する PL システムモニターを使用し、SYSMON で 97°C と報告された場合、±3°C の測定誤差があります。97°C は、調整された最大値 T_j (100°C – 3°C = 97°C) と見なされます。 -2LE スピード/温度グレードと表記されているデバイスは、100°C ～ 110°C のジャンクション温度で限られた時間動作できます。動作電圧 (標準電圧の 0.85V または低電圧の 0.72V) に関係なく、タイミングパラメーターは 110°C を下回る温度でのスピードファイルと同じように 110°C のスピードファイルに準拠します。最大 T_j = 110°C までの動作はデバイスの寿命期間の 1% に限定されます。この 1% を越えなければ連続または一定間隔でデバイスを動作させることができます。 -2LI スピード/温度グレードと表記されているデバイスは、100°C ～ 110°C のジャンクション温度で限られた時間動作できます。タイミングパラメーターは 110°C を下回る温度でのスピードファイルと同じように 110°C のスピードファイルに準拠します。最大 T_j = 110°C までの動作はデバイスの寿命期間の 5% に限定されます。この 5% を超えなければ連続または一定間隔でデバイスを動作させることができます。