VDRINT
|
データを保持するための VCCINT 電圧 (この電圧未満では、コンフィギュレーション データが失われる可能性がある) |
0.68 |
– |
– |
V |
VDRAUX
|
データを保持するための VCCAUX 電圧 (この電圧未満では、コンフィギュレーション データが失われる可能性がある) |
1.5 |
– |
– |
V |
IREF
|
各ピンの VREF リーク電流 |
– |
– |
15 |
µA |
IL
|
各ピンの入力または出力リーク電流 (HD I/O および HP I/O
2
) (サンプル テスト) |
– |
– |
15 |
µA |
CIN
3
|
パッドのダイ入力の容量 (HP I/O) |
– |
– |
3.1 |
pF |
パッドのダイ入力の容量 (HD I/O) |
– |
– |
4.75 |
pF |
IRPU
|
VIN = 0V、VCCO = 3.3V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) |
75 |
– |
190 |
µA |
VIN = 0V、VCCO = 2.5V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) |
50 |
– |
169 |
µA |
VIN = 0V、VCCO = 1.8V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) |
60 |
– |
120 |
µA |
VIN = 0V、VCCO = 1.5V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) |
30 |
– |
120 |
µA |
VIN = 0V、VCCO = 1.2V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) |
10 |
– |
100 |
µA |
IRPD
|
VIN = 3.3V の場合のパッド プルダウン (選択した場合) |
60 |
– |
200 |
µA |
VIN = 1.8V の場合のパッド プルダウン (選択した場合) |
29 |
– |
120 |
µA |
ICCADCON
|
パワーアップ状態にある SYSMON 回路のアナログ電源電流 |
– |
– |
8 |
mA |
ICCADCOFF
|
パワーダウン状態にある SYSMON 回路のアナログ電源電流 |
– |
– |
1.5 |
mA |
IBATT
4、5
|
VBATT = 1.89V でのバッテリ電源電流 |
– |
– |
650 |
nA |
VBATT = 1.20V でのバッテリ電源電流 |
– |
– |
150 |
nA |
IPFS
6
|
eFUSE プログラム時の VCCAUX の追加電源電流 |
– |
– |
115 |
mA |
内部 VREF
|
50% VCCO
|
VCCO x 0.49 |
VCCO x 0.50 |
VCCO x 0.51 |
V |
70% VCCO
|
VCCO x 0.69 |
VCCO x 0.70 |
VCCO x 0.71 |
V |
差動終端 |
HP I/O バンク用のプログラム可能な差動終端 (TERM_100) |
-35% |
100 |
+35% |
Ω |
n |
温度ダイオードの理想係数 |
– |
1.026 |
– |
– |
r |
温度ダイオードの直列抵抗 |
– |
2 |
– |
Ω |
HP I/O バンクのプログラム可能なキャリブレーション済みオンダイ終端 (DCI)
7
(JEDEC 仕様に従って計測) |
R
9
|
ODT = RTT_40 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
–10%
8
|
40 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_48 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
–10%
8
|
48 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_60 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
–10%
8
|
60 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_40 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
–10%
8
|
40 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_48 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
–10%
8
|
48 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_60 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
–10%
8
|
60 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_120 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
–10%
8
|
120 |
+10%
8
|
Ω |
ODT = RTT_240 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
–10%
8
|
240 |
+10%
8
|
Ω |
HP I/O バンクのプログラム可能なキャリブレーションなしのオンダイ終端 (JEDEC 仕様に従って計測) |
R
9
|
ODT = RTT_40 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
-50% |
40 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_48 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
-50% |
48 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_60 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
-50% |
60 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_40 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
-50% |
40 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_48 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
-50% |
48 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_60 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
-50% |
60 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_120 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
-50% |
120 |
+50% |
Ω |
ODT = RTT_240 の場合の VCCO に対するプログラム可能な入力終端 |
-50% |
240 |
+50% |
Ω |
HD I/O バンクのプログラム可能なキャリブレーションなしのオンダイ終端 (JEDEC 仕様に従って計測) |
R
9
|
ODT = RTT_48 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 |
-50% |
48 |
+50% |
Ω |
- 標準値は、標準電圧および 25°C の条件で指定されています。
- 1.8V の VCCO および別々の VCCO と VCCAUX_IO 電源を備えた HP I/O バンクでは、IL 最大電流は 70µA となります。
- ここで示した計測結果はパッドのダイ容量であり、パッケージは含まれません。
- 最大値は、25°C のワースト ケースで指定されています。
-
IBATT
はバックアップ バッテリ付きの RAM (BBRAM) が有効な状態で計測されています。
- コンフィギュレーション、コンフィギュレーション リードバック、またはリードバック CRC がアクティブな場合を含む、デバイスのコンフィギュレーション中は eFUSE をプログラムしないでください。
- VRP の許容抵抗は (240Ω ±1%) です。
- VRP が別のバンクにある場合 (DCI カスケード)、範囲は ±15% に拡大します。
- オンダイ入力終端抵抗の詳細は、
『UltraScale アークテクチャ SelectIO リソース ユーザー ガイド』 (UG571) を参照してください。
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