表 1 に、Versal AI エッジ デバイスの GTY および GTYP トランシーバーの DC 仕様を示します。詳細は、 『Versal アダプティブ SoC GTY および GTYP トランシーバー アーキテクチャ マニュアル』 (AM002) を参照してください。
シンボル | DC パラメーター | 条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
---|---|---|---|---|---|---|
DVPPIN | Peak-to-Peak 差動入力電圧 (外部 AC カップリング) | >10.3125 Gb/s | 150 | – | 1250 | mV |
6.6 Gb/s ~ 10.3125 Gb/s | 150 | – | 1250 | mV | ||
≤ 6.6 Gb/s | 150 | – | 2000 | mV | ||
VIN | シングルエンド入力電圧。グランドを基準電位とするピンで計測された電圧。 | VGTY_AVTT = 1.2V (DC カップリング) | -200 | – | VGTY_AVTT | mV |
VCMIN | 入力同相電圧 | VGTY_AVTT = 1.2V (DC カップリング) | – | 2/3 VGTY_AVTT | – | mV |
DVPPOUT | Peak-to-Peak 差動出力電圧 1 | トランスミッターの出力範囲は 11111 に設定 |
800 | – | – | mV |
VCMOUTDC | 出力同相電圧: DC カップリング (式に基づく) 2 | リモート RX の終端がフローティング状態の場合 | DVPPOUT/2 | mV | ||
リモート RX が VRX_TERM に終端される場合 3 | VRX_TERM/2 + DVPPOUT/4 | mV | ||||
VCMOUTAC | 出力同相電圧: AC カップリング | 式に基づく | DVPPOUT/2 | mV | ||
RIN | 差動入力抵抗 | – | 100 | – | Ω | |
ROUT | 差動出力抵抗 | – | 100 | – | Ω | |
TOSKEW | トランスミッター差動出力間 (TXP および TXN) の内部ペア スキュー | – | – | 10 | ps | |
CEXT | 外部 AC カップリングのキャパシタの推奨値 4 | – | 100 | – | nF | |
|
図 1. シングルエンドの電圧幅
図 2. 差動出力の電圧幅
次の表に、Versal AI エッジ デバイスの GTY および GTYP トランシーバーのクロック入力/出力の DC 仕様を示します。詳細は、 『Versal アダプティブ SoC GTY および GTYP トランシーバー アーキテクチャ マニュアル』 (AM002) を参照してください。
シンボル | DC パラメーター | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
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VIDIFF | Peak-to-Peak 差動入力電圧 | 250 | – | 800 | mV |
VICM | REFCLK 同相入力電圧 | – | VGTY_AVCC または VGTYP_AVCC | – | mV |
RIN | 差動入力抵抗 | – | 100 | – | Ω |
CEXT | 外部 AC カップリングのキャパシタ要件 | – | 10 | – | nF |
シンボル | 説明 | 条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
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VOL | P および N の最小出力電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 100 | – | 330 | mV |
VOH | P および N の最大出力電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 500 | – | 700 | mV |
VDDOUT | 差動出力電圧 (P–N)、P = High (N–P)、N = High | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 300 | – | 430 | mV |
VCMOUT | 同相電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 300 | – | 500 | mV |