ブロック RAM のスイッチ特性

Versal AI エッジ シリーズ データシート: DC 特性および AC スイッチ特性 (DS958)

Document ID
DS958
Release Date
2024-02-29
Revision
1.6 日本語
表 1. ブロック RAM のスイッチ特性
シンボル 説明 スピード グレードおよび動作電圧 (VCC_RAM) 別の機能の性能 単位
0.88V (H) 0.80V (M) 0.80V (L) 1
-2 -2 -1 -2LLI -2LSE

-2LLE

-1
最大周波数
FMAX_WF_NC ブロック RAM (WRITE_FIRST および NO_CHANGE モード) 1000 850 800 650 650 615 MHz
FMAX_RF ブロック RAM (READ_FIRST モード) 850 725 675 550 550 510 MHz
ブロック RAM の clock-to-out 遅延
TRCKO_DO クロック CLK から DOUT 出力までの遅延 (出力レジスタなし) 0.797 0.901 0.967 1.141 1.141 1.233 ns、最大
TRCKO_DO_REG クロック CLK から DOUT 出力までの遅延 (出力レジスタあり) 0.234 0.262 0.280 0.333 0.333 0.362 ns、最大
  1. ブロック RAM は、低 (L) 電圧動作の 0.80V で動作する VCC_RAM 電源によって電源供給されます ( 表 1 参照)。