シンボル | 説明 1 , 2, 3 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
---|---|---|---|---|---|
VCCAUX | 補助電源電圧 | 1.455 | 1.500 | 1.545 | V |
VCCAUX_PMC | PMC の補助電源電圧 | 1.455 | 1.500 | 1.545 | V |
VCCAUX_SMON 4 | GND_SMON に対する PMC システム モニター電源電圧 | 1.455 | 1.500 | 1.545 | V |
VCC_BATT 5 | バックアップ バッテリ付き RAM およびリアルタイム クロック (RTC) へのバッテリ電源電圧 | 1.200 | – | 1.500 | V |
VCC_FUSE 6 | eFUSE プログラム用電源電圧 | 1.745 | 1.800 | 1.854 | V |
VCCINT | PL の主電源電圧、低 (L) 電圧 | 0.676 | 0.700 | 0.724 | V |
PL の主電源電圧、低 (L) 電圧 -2LLI デバイス 7 | 0.701 | 0.725 | 0.749 | V | |
PL の主電源電圧、中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V | |
PL の主電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_CPM5 | CPM5 の主電源電圧、低 (L) 電圧 | 0.676 | 0.700 | 0.724 | V |
CPM5 の主電源電圧、中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V | |
CPM5 の主電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
CPM5 の主電源電圧、より高い CPM5 パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI、-1LLI、-2LSE、-2LLE、-2MSE、-2MLE、-2MSI、および -2MLI デバイスの場合) | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_IO 8 | XPIO 電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V |
XPIO 電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCCO 9 |
XPIO バンク 7## の出力ドライバーの電源電圧 1.0V、1.1V、1.2V、1.35V、1.5V ±5% の VCCO を含みます。 |
0.950 | – | 1.575 | V |
HDIO バンク 3## およびバンク 4## の出力ドライバーの電源電圧 1.8V、2.5V ±5%、3.3V +3/–5% の VCCO を含みます。 |
1.710 | – | 3.400 | V | |
PSIO バンク 5## の電源電圧 1.8V、2.5V ±5%、3.3V +3/–5% の VCCO を含みます。 |
1.710 | – | 3.400 | V | |
VCC_PMC 10 | PMC の主電源電圧、低 (L) 電圧 | 0.676 | 0.700 | 0.724 | V |
PMC の主電源電圧、中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V | |
PMC の主電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
PMC の主電源電圧、より高い PMC パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_PSFP | PS のフル電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧 | 0.676 | 0.700 | 0.724 | V |
PS のフル電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V | |
PS のフル電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
PS のフル電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_PSLP | PS の低電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧 | 0.676 | 0.700 | 0.724 | V |
PS の低電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V | |
PS の低電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
PS の低電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_RAM | PL の RAM およびクロッキング ネットワークの電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V |
PL の RAM およびクロッキング ネットワークの電源電圧、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VCC_SOC 8 | ネットワーク オン チップ (NoC) 、DDR メモリ コントローラー、およびビデオ コーデック ユニット (VDU) の電源、低 (L) および中 (M) 電圧 | 0.775 | 0.800 | 0.825 | V |
NoC 、DDR メモリ コントローラー、および VDU の電源、高 (H) 電圧 | 0.854 | 0.880 | 0.906 | V | |
VGTY_AVCC 11 |
GTY トランシーバーのアナログ主電源電圧 |
0.854 | 0.880 | 0.906 | V |
VGTYP_AVCC 11 |
GTYP トランシーバーのアナログ主電源電圧 |
0.892 | 0.920 | 0.948 | V |
VGTY_AVCCAUX 11 VGTYP_AVCCAUX 11 |
GTY / GTYP トランシーバーのアナログ補助 (PLL) 電源電圧 |
1.455 | 1.500 | 1.545 | V |
VGTY_AVTT 11 VGTYP_AVTT 11 |
GTY / GTYP トランシーバーの終端電源電圧 |
1.164 | 1.200 | 1.236 | V |
VGTY_AVTTRCAL 11 VGTYP_AVTTRCAL 11 |
GTY / GTYP トランシーバーの抵抗キャリブレーションのアナログ電源電圧 |
1.164 | 1.200 | 1.236 | V |
IIN 14 | クランプ ダイオードが順方向バイアスであるときの、電源がオンあるいはオフのバンクにある PL、PMC、または PS のピンの最大電流 | – | – | 10 | mA |
Tj 15 | 拡張 (E) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲 16 | 0 | – | 100 | °C |
インダストリアル (I) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲 16 | -40 | – | 100 | °C | |
eFUSE プログラミング向けジャンクション温度範囲 | -40 | – | 125 | °C | |
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