推奨動作条件

Versal AI エッジ シリーズ データシート: DC 特性および AC スイッチ特性 (DS958)

Document ID
DS958
Release Date
2024-02-29
Revision
1.6 日本語
表 1. 推奨動作条件
シンボル 説明 1 , 2, 3 最小 標準 最大 単位
VCCAUX 補助電源電圧 1.455 1.500 1.545 V
VCCAUX_PMC PMC の補助電源電圧 1.455 1.500 1.545 V
VCCAUX_SMON 4 GND_SMON に対する PMC システム モニター電源電圧 1.455 1.500 1.545 V
VCC_BATT 5 バックアップ バッテリ付き RAM およびリアルタイム クロック (RTC) へのバッテリ電源電圧 1.200 1.500 V
VCC_FUSE 6 eFUSE プログラム用電源電圧 1.745 1.800 1.854 V
VCCINT PL の主電源電圧、低 (L) 電圧 0.676 0.700 0.724 V
PL の主電源電圧、低 (L) 電圧 -2LLI デバイス 7 0.701 0.725 0.749 V
PL の主電源電圧、中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
PL の主電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
VCC_CPM5 CPM5 の主電源電圧、低 (L) 電圧 0.676 0.700 0.724 V
CPM5 の主電源電圧、中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
CPM5 の主電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
CPM5 の主電源電圧、より高い CPM5 パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI、-1LLI、-2LSE、-2LLE、-2MSE、-2MLE、-2MSI、および -2MLI デバイスの場合) 0.854 0.880 0.906 V
VCC_IO 8 XPIO 電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
XPIO 電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
VCCO 9

XPIO バンク 7## の出力ドライバーの電源電圧

1.0V、1.1V、1.2V、1.35V、1.5V ±5% の VCCO を含みます。

0.950 1.575 V

HDIO バンク 3## およびバンク 4## の出力ドライバーの電源電圧

1.8V、2.5V ±5%、3.3V +3/–5% の VCCO を含みます。

1.710 3.400 V

PSIO バンク 5## の電源電圧

1.8V、2.5V ±5%、3.3V +3/–5% の VCCO を含みます。

1.710 3.400 V
VCC_PMC 10 PMC の主電源電圧、低 (L) 電圧 0.676 0.700 0.724 V
PMC の主電源電圧、中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
PMC の主電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
PMC の主電源電圧、より高い PMC パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) 0.854 0.880 0.906 V
VCC_PSFP PS のフル電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧 0.676 0.700 0.724 V
PS のフル電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
PS のフル電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
PS のフル電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) 0.854 0.880 0.906 V
VCC_PSLP PS の低電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧 0.676 0.700 0.724 V
PS の低電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
PS の低電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
PS の低電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-1LSI および -1LLI デバイスの場合) 0.854 0.880 0.906 V
VCC_RAM PL の RAM およびクロッキング ネットワークの電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
PL の RAM およびクロッキング ネットワークの電源電圧、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V
VCC_SOC 8 ネットワーク オン チップ (NoC) 、DDR メモリ コントローラー、およびビデオ コーデック ユニット (VDU) の電源、低 (L) および中 (M) 電圧 0.775 0.800 0.825 V
NoC 、DDR メモリ コントローラー、および VDU の電源、高 (H) 電圧 0.854 0.880 0.906 V

VGTY_AVCC 11

GTY トランシーバーのアナログ主電源電圧

0.854 0.880 0.906 V

VGTYP_AVCC 11

GTYP トランシーバーのアナログ主電源電圧

0.892 0.920 0.948 V

VGTY_AVCCAUX 11

VGTYP_AVCCAUX 11

GTY / GTYP トランシーバーのアナログ補助 (PLL) 電源電圧

1.455 1.500 1.545 V

VGTY_AVTT 11

VGTYP_AVTT 11

GTY / GTYP トランシーバーの終端電源電圧

1.164 1.200 1.236 V

VGTY_AVTTRCAL 11

VGTYP_AVTTRCAL 11

GTY / GTYP トランシーバーの抵抗キャリブレーションのアナログ電源電圧

1.164 1.200 1.236 V
IIN 14 クランプ ダイオードが順方向バイアスであるときの、電源がオンあるいはオフのバンクにある PL、PMC、または PS のピンの最大電流 10 mA
Tj 15 拡張 (E) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲 16 0 100 °C
インダストリアル (I) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲 16 -40 100 °C
eFUSE プログラミング向けジャンクション温度範囲 -40 125 °C
  1. すべての電圧は GND を基準とし、BGA パッケージ ボールに関連するものです。
  2. 電源分配システムのデザインについては、 『Versal アダプティブ SoC PCB デザイン ユーザー ガイド』 (UG863) および Power Design Manager (PDM) ツール (japan.xilinx.com/power からダウンロード) を参照してください。
  3. 表の各電圧に、 『Versal アダプティブ SoC PCB デザイン ユーザー ガイド』 (UG863) で説明されているデカップリングが必要です。デザイン固有のデカップリングの推奨事項は、Power Design Manager (PDM) ツール (japan.xilinx.com/power からダウンロード) を参照してください。
  4. VCCAUX_SMONVCCAUX_PMC に接続してください。VCCAUX_SMON の情報およびフィルターの考慮事項は、 『Versal アダプティブ SoC システム モニター アーキテクチャ マニュアル』 (AM006) を参照してください。
  5. バッテリ バックアップ付き RAM およびリアルタイム クロックを使用しない場合は、GND に接続します。
  6. eFUSE プログラム中は、VCC_FUSE は推奨動作条件内とする必要があります。VCC_FUSE を使用しない場合は、GND に接続します。
  7. -2LLI デバイスでは、電源投入時の VCCINT を 0.725V とした後、PMC 動的電圧スケーリング (DVS) ドライバーを使用して、デバイス温度が 25°C を上回る場合は 0.700V に、デバイス温度が 10°C を下回る場合は 0.725V に (I2C/PMBus で) VCCINT 電源レギュレータの電圧を変更する必要があります。
  8. VCC_IO は、VCC_SOC に接続してください。
  9. XPIO および HDIO の動作については、 『Versal アダプティブ SoC SelectIO リソース アーキテクチャ マニュアル』 (AM010) を参照してください。PSIO には、PMC 専用 I/O バンク、PMC MIO バンク、LPD MIO バンクが含まれます。PSIO の動作は、 『Versal アダプティブ SoC テクニカル リファレンス マニュアル』 (AM011) を参照してください。
  10. PUF (Physical Unclonable Function) は、特定の Versal デバイスで VCC_PMC = 0.70V (公称値) を使用した場合のみサポートされます。該当デバイスおよび PUF の使用に関する詳細は、 デザイン セキュリティ ラウンジ 『Versal アダプティブ SoC セキュリティ マニュアル』 (UG1508) を参照してください。これには、中 (M)、高 (H)、オーバードライブの VCC_PMC 0.70V ソリューションが含まれます。VCC_PMC 0.70V を使用するソリューションの場合、VCC_PMC に基づく機能のパフォーマンスは低下します。
  11. 表の各電圧に、 『Versal アダプティブ SoC GTY および GTYP トランシーバー アーキテクチャ マニュアル』 (AM002) で説明されているフィルターが必要です。電源ピンの推奨動作条件外のノイズは、10 kHz ~ 80 MHz の周波数帯域に対して 10 mVpp を超えないようにする必要があります。
  12. より低い絶対電圧値が常に適用されます。
  13. XPIO バンクでは、VCCO を上回る VIN オーバーシュート、および GND を下回るアンダーシュートによって、同じニブル内の VREF ベース レシーバーのパフォーマンスが低下することがあります。
  14. 各バンクの合計が 200 mA を超えないようにしてください。
  15. ジャンクション温度の仕様は、PMC システム モニターから報告される絶対値に関連します。
  16. -2E スピード/温度グレードと表記されているデバイスおよびすべてのインダストリアル (I) 温度グレード デバイスは、SYSMON から読み出された温度に基づいたジャンクション温度 100°C 〜 110°C で限られた時間動作できます。110°C までのタイミング パラメーターは、100°C までと同じスピード ファイルに準拠します。最大 Tj = 110°C までの動作はデバイスの寿命期間の 3% に限定されます。この 3% を越えなければ連続または一定間隔でデバイスを動作させることができます。逸脱温度の詳細は、 『逸脱温度を利用した熱ソリューションの拡張』 (WP517) を参照してください。