推奨動作条件下での DC 特性

Versal AI エッジ シリーズ データシート: DC 特性および AC スイッチ特性 (DS958)

Document ID
DS958
Release Date
2024-02-29
Revision
1.6 日本語
表 1. 推奨動作条件下での DC 特性
シンボル 説明 最小 標準 1 最大 単位
CIN 2 パッドの HDIO および PSIO ダイ入力の容量 3.50 pF
パッドの XPIO ダイ入力の容量 1.75 pF
IL

HDIO、 XPIO、および PSIO のピンあたりの入力または出力リーク電流 (サンプル テスト)

15 µA
IRPU VIN = 0V、VCCO = 3.3V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) 60 200 µA
VIN = 0V、VCCO = 2.5V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) 50 169 µA
VIN = 0V、VCCO = 1.8V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) 29 120 µA
VIN = 0V、VCCO = 1.5V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) 30 120 µA
VIN = 0V、VCCO = 1.2V の場合のパッド プルアップ (選択した場合) 10 100 µA
IRPD VIN = 3.3V の場合のパッド プルダウン (選択した場合) 60 200 µA
VIN = 1.8V の場合のパッド プルダウン (選択した場合) 29 120 µA
ICC_FUSE eFUSE プログラム時の VCC_FUSE の電源電流 165 mA
バッテリ電源の電流
ICC_BATT 3, 4 VCC_BATT = 1.20V でのバッテリ電源電流、RTC は無効 160 nA
VCC_BATT = 1.50V でのバッテリ電源電流、RTC は無効 320 nA
VCC_BATT = 1.20V でのバッテリ電源電流、RTC は有効 1360 nA
VCC_BATT = 1.50V でのバッテリ電源電流、RTC は有効 1930 nA
XPIO バンク 5 のプログラム可能なキャリブレーション済みオンダイ終端 (DCI) (JEDEC 仕様に従って計測)
R 7 プログラマブル入力終端のテブナン等価抵抗 (x はターゲット インピーダンス 48、60、120、または 240) –20% 6 ODT = RTT_x +20% 6 Ω
HDIO バンクのプログラム可能なキャリブレーションなしのオンダイ終端 (JEDEC 仕様に従って計測)
R 7 ODT = RTT_48 の場合の VCCO/2 に対するプログラム可能な入力終端のテブナン等価抵抗 -50% 48 +50% Ω
差動終端 XPIO バンクのプログラム可能な差動終端 (TERM_100) -35% 100 +35% Ω
  1. 標準値は、標準電圧および 25°C の条件で指定されています。
  2. ここで示した計測結果はパッドのダイ容量であり、パッケージは含まれません。
  3. 最大値は、25°C のワースト ケースで指定されています。
  4. バッテリ バックアップ RAM (BBRAM) は常に有効で、ICC_BATT に含まれます。
  5. VR の許容抵抗は (240Ω ±1%) です。
  6. 許容限界値は、安定した電圧と温度でのキャリブレーション後の仕様値です。
  7. オンダイ入力終端抵抗の詳細は、 『Versal アダプティブ SoC SelectIO リソース アーキテクチャ マニュアル』 (AM010) を参照してください。