表 1 に、Versal プレミアム デバイス の GTM トランシーバーの DC 仕様を示します。詳細は、 『Versal アダプティブ SoC GTM トランシーバー アーキテクチャ マニュアル』 (AM017) を参照してください。
シンボル | DC パラメーター | 条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DVPPIN | Peak-to-Peak 差動入力電圧 (外部 AC カップリング) | PAM4 | 600 | – | 900 | mV | |
NRZ | 150 | – | 900 | mV | |||
DVPPOUT | Peak-to-Peak 差動出力電圧 1 | トランスミッターの出力範囲は 1000100 に設定 |
800 | – | – | mV | |
VCMOUTDC | 出力同相電圧: DC (式に基づく) | リモート RX の終端がフローティングの場合 | TX 出力振幅 ≥ 800 mV | VAVCCAUX – DVPPOUT/2 | mV | ||
TX 出力振幅 <800 mV | VAVTT – VVPPOUT/2 | mV | |||||
リモート RX が VRX_TERM に終端される場合 2 | TX 出力振幅 ≥ 800 mV | VAVCCAUX – DVPPOUT/4 – (VAVCCAUX – VRX_TERM)/2 | mV | ||||
TX 出力振幅 <800 mV | VAVTT – DVPPOUT/4 – (VAVTT – VRX_TERM)/2 | mV | |||||
VCMOUTAC | 出力同相電圧: AC カップリング | 式に基づく | VAVCCAUX – DVPPOUT/2 | mV | |||
RIN | 差動入力抵抗 | – | 100 | – | Ω | ||
ROUT | 差動出力抵抗 | – | 100 | – | Ω | ||
TOSKEW | トランスミッター差動出力間 (TXP および TXN) の内部ペア スキュー | – | – | 3.7 | ps | ||
CEXT | 外部 AC カップリングのキャパシタの推奨値 3 | – | 100 | – | nF | ||
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図 1. シングルエンドの電圧幅
図 2. 差動出力の電圧幅
次の表に、Versal プレミアム デバイス の GTM トランシーバーのクロック入力/出力の DC 仕様を示します。詳細は、 『Versal アダプティブ SoC GTM トランシーバー アーキテクチャ マニュアル』 (AM017) を参照してください。
シンボル | DC パラメーター | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
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VIDIFF | Peak-to-Peak 差動入力電圧 | 250 | – | 800 | mV |
VICM | REFCLK 同相入力電圧 | – | VGTM_AVCC | – | mV |
RIN | 差動入力抵抗 | – | 100 | – | Ω |
CEXT | 外部 AC カップリングのキャパシタ要件 | – | 10 | – | nF |
シンボル | 説明 | 条件 | 最小 | 標準 | 最大 | 単位 |
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VOL | P および N の最小出力電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 100 | – | 330 | mV |
VOH | P および N の最大出力電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 500 | – | 700 | mV |
VDDOUT | 差動出力電圧 (P–N)、P = High (N–P)、N = High | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 300 | – | 430 | mV |
VCMOUT | 同相電圧 | P 信号と N 信号間で RT = 100Ω | 300 | – | 500 | mV |