ブロック RAM のスイッチ特性

Versal プレミアムシリーズデータシート: DC 特性および AC スイッチ特性 (DS959)

Document ID: DS959
Release Date: 2024-02-29
Revision: 1.5 日本語

表 1. ブロック RAM のスイッチ特性
シンボル	説明	スピードグレードおよび動作電圧 (V_{CC_RAM}) 別の機能の性能								単位
		0.88V (H)		0.80V (M)			0.80V (L)¹
		-3	-2	-2	-1	-1MM	-2LLI	-2LSE -2LLE	-1
最大周波数
F_{MAX_WF_NC}	ブロック RAM (WRITE_FIRST および NO_CHANGE モード)	1000	1000	850	800		650	650	615	MHz
F_{MAX_RF}	ブロック RAM (READ_FIRST モード)	850	850	725	675		550	550	510	MHz
ブロック RAM の clock-to-out 遅延
T_{RCKO_DO}	クロック CLK から DOUT 出力までの遅延 (出力レジスタなし)	0.797	0.797	0.901	0.967		1.141	1.141	1.233	ns、最大
T_{RCKO_DO_REG}	クロック CLK から DOUT 出力までの遅延 (出力レジスタあり)	0.234	0.234	0.266	0.280	0.290	0.333	0.344	0.362	ns、最大
ブロック RAM は、低 (L) 電圧動作の 0.80V で動作する V_{CC_RAM} 電源によって電源供給されます ( 表 1 参照)。