推奨動作条件

表 1. 推奨動作条件
シンボル	説明^{1 , 2, 3}	最小	標準	最大	単位
V_CCAUX	補助電源電圧	1.455	1.500	1.545	V
V_{CCAUX_PMC}	PMC の補助電源電圧	1.455	1.500	1.545	V
V_{CCAUX_SMON} ⁴	GND_SMON に対する PMC システムモニター電源電圧	1.455	1.500	1.545	V
V_{CC_BATT} ⁵	バックアップバッテリ付き RAM およびリアルタイムクロック (RTC) へのバッテリ電源電圧	1.200	–	1.500	V
V_{CC_FUSE} ⁶	eFUSE プログラム用電源電圧	1.745	1.800	1.854	V
V_CCINT	PL の主電源電圧、低 (L) 電圧	0.676	0.700	0.724	V
	PL の主電源電圧、中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
	PL の主電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_{CCINT_GT}	GTM の主電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
V_{CCINT_GT}	GTM の主電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_{CCINT_IO_HBM} ⁷	高帯域幅メモリコントローラーインターフェイスの電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
V_{CCINT_IO_HBM} ⁷	高帯域幅メモリコントローラーインターフェイスの電源電圧、電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_CPM5}	CPM5 の主電源電圧、低 (L) 電圧	0.676	0.700	0.724	V
	CPM5 の主電源電圧、中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
	CPM5 の主電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
	CPM5 の主電源電圧、より高い CPM5 パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-2LSE、-2LLE、-2MSE、および -2MLE デバイスの場合)	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_IO} ⁷	XPIO 電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
V_{CC_IO} ⁷	XPIO 電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_CCO ⁸	XPIO バンク 7## の出力ドライバーの電源電圧 1.0V、1.1V、1.2V、1.35V、1.5V ±5% の V_CCO を含みます。	0.950	–	1.575	V
V_CCO ⁸	PSIO バンク 5## の電源電圧 1.8V、2.5V ±5%、3.3V +3/–5% の V_CCO を含みます。	1.710	–	3.400	V
V_{CC_PMC} ⁹	PMC の主電源電圧、低 (L) 電圧	0.676	0.700	0.724	V
	PMC の主電源電圧、中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
	PMC の主電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
	PMC プライマリ電源電圧、より高い PMC パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-2LSE、-2LLE、-2MSE、-2MLE、-2MSI、および -2MLI デバイスの場合)	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_PSFP}	PS のフル電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧	0.676	0.700	0.724	V
	PS のフル電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
	PS のフル電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
	PS のフル電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-2LSE、-2LLE、-2MSE、および -2MLE デバイスの場合)	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_PSLP}	PS の低電力ドメインの電源電圧、低 (L) 電圧	0.676	0.700	0.724	V
	PS の低電力ドメインの電源電圧、中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
	PS の低電力ドメインの電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
	PS の低電力ドメインの電源電圧、より高い PS パフォーマンスのオーバードライブ電圧 (-2LSE、-2LLE、-2MSE、および -2MLE デバイスの場合)	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_RAM}	PL の RAM およびクロッキングネットワークの電源電圧、低 (L)/中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
V_{CC_RAM}	PL の RAM およびクロッキングネットワークの電源電圧、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_{CC_SOC} ⁷	ネットワークオンチップ (NoC) および DDR メモリコントローラーの電源、低 (L) および中 (M) 電圧	0.775	0.800	0.825	V
V_{CC_SOC} ⁷	NoC および DDR メモリコントローラーの電源、高 (H) 電圧	0.854	0.880	0.906	V
V_{GTYP_AVCC} ¹⁰	GTYP トランシーバーのアナログ主電源電圧	0.892	0.920	0.948	V
V_{GTM_AVCC} ¹⁰	GTM トランシーバーのアナログ主電源電圧	0.892	0.920	0.948	V
V_{GTYP_AVCCAUX} ¹⁰ V_{GTM_AVCCAUX} ¹⁰	GTYP (または GTM) トランシーバーのアナログ補助 (PLL) 電源電圧	1.455	1.500	1.545	V
V_{GTYP_AVTT} ¹⁰ V_{GTM_AVTT} ¹⁰	GTYP (または GTM) トランシーバーの終端電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_{GTYP_AVTTRCAL} ¹⁰ V_{GTM_AVTTRCAL} ¹⁰	GTYP (または GTM) トランシーバーの抵抗キャリブレーションのアナログ電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_IN ^{11, 12}	PSIO、および XPIO バンクの I/O 入力電圧	-0.200	–	V_CCO + 0.200	V
V_{CC_HBM}	広帯域幅メモリの電源電圧 (HBM)	1.164	1.200	1.236	V
V_{CCO_HBM}	広帯域幅メモリの I/O 電源電圧	1.164	1.200	1.236	V
V_{CCAUX_HBM}	広帯域幅メモリの補助電源電圧	2.425	2.500	2.575	V
I_IN ¹³	クランプダイオードが順方向バイアスであるときの、電源がオンあるいはオフのバンクにある PL、PMC、または PS のピンの最大電流	–	–	10	mA
T_j	拡張 (E) 温度仕様デバイスのジャンクション温度範囲¹⁴	0	–	100	°C
	統合 HBM のジャンクション温度範囲¹⁵	0	–	105	°C
	eFUSE プログラミング向けジャンクション温度範囲¹⁴	-40	–	125	°C
すべての電圧は GND を基準とし、BGA パッケージボールに関連するものです。電源分配システムのデザインについては、 Versal Adaptive SoC PCB Design User Guide (UG863) および Power Design Manager (PDM) ツール (japan.xilinx.com/power からダウンロード) を参照してください。表の各電圧に、 Versal Adaptive SoC PCB Design User Guide (UG863) で説明されているデカップリングが必要です。デザイン固有のデカップリングの推奨事項は、Power Design Manager (PDM) ツール (japan.xilinx.com/power からダウンロード) を参照してください。 V_{CCAUX_SMON} は V_{CCAUX_PMC} に接続してください。V_{CCAUX_SMON} の情報およびフィルターの考慮事項は、 Versal Adaptive SoC System Monitor Architecture Manual (AM006) を参照してください。バッテリバックアップ付き RAM およびリアルタイムクロックを使用しない場合は、GND に接続します。 eFUSE プログラム中は、V_{CC_FUSE} は推奨動作条件内とする必要があります。V_{CC_FUSE} を使用しない場合は、GND に接続します。 V_{CCINT_IO_HBM} および V_{CC_IO} は、V_{CC_SOC} に接続してください。 XPIO の動作については、 Versal Adaptive SoC SelectIO Resources Architecture Manual (AM010) を参照してください。PSIO には、PMC 専用 I/O バンク、PMC MIO バンク、LPD MIO バンクが含まれます。PSIO の動作は、 Versal Adaptive SoC Technical Reference Manual (AM011) を参照してください。 PUF (Physical Unclonable Function) は、 V_{CC_PMC} = 0.70V (公称値) を使用した場合のみサポートされます。 PUF の使用に関する詳細は、デザインセキュリティラウンジの Versal Adaptive SoC Security Manual (UG1508) を参照してください。これには、中 (M)、高 (H)、オーバードライブの V_{CC_PMC} 0.70V ソリューションが含まれます。V_{CC_PMC} 0.70V を使用するソリューションの場合、V_{CC_PMC} に基づく機能のパフォーマンスは低下します。PUF は -3H デバイスではサポートされません。表の各電圧に、 Versal Adaptive SoC GTY and GTYP Transceivers Architecture Manual (AM002) または Versal Adaptive SoC GTM Transceivers Architecture Manual (AM017) で説明されているフィルターが必要です。電源ピンの推奨動作条件外のノイズは、10 kHz ～ 80 MHz の周波数帯域に対して 10 mVpp を超えないようにする必要があります。より低い絶対電圧値が常に適用されます。 XPIO バンクでは、V_CCO を上回る V_IN オーバーシュート、および GND を下回るアンダーシュートによって、同じニブル内の V_REF ベースレシーバーのパフォーマンスが低下することがあります。各バンクの合計が 200 mA を超えないようにしてください。ジャンクション温度の仕様は、PMC システムモニターから報告される絶対値に関連します。統合 HBM のジャンクション温度は、HBM 内部の温度センサーの値に関連します。HBM スタック温度へのアクセス方法は、『Versal Adaptive SoC Programmable Network on Chip and Integrated Memory Controller LogiCORE IP 製品ガイド』 (PG313) を参照してください。