K26 SOM には、QSPI フラッシュ メモリと eMMC フラッシュ メモリの 2 つの不揮発性ストレージ ブート デバイスがあります。プライマリ ブート デバイスは、MODE[3:0] ピンをキャリア カードで必要な値に接続することによって選択します。ブート モード ピンを SOM コネクタからアクセスできるようにすることで、ブート デバイスの柔軟な設定が可能になっています。次の表に、QSPI と eMMC のそれぞれを使用する場合のブート モード設定を示します。キャリア カードの設計によっては、これ以外のブート モード オプションを追加することもできます。ブート モードの定義の詳細は、 『Zynq UltraScale+ デバイス テクニカル リファレンス マニュアル』 (UG1085) を参照してください。ブート モード抵抗のストラップの詳細は、 『Kria SOM キャリア カード設計ガイド』 (UG1091) を参照してください。
| ブート モード | PS_Mode ピン [3:0] | 物理的なピンの位置 |
|---|---|---|
| Quad-SPI (32 ビット) |
0010
|
MIO[5:0] |
| eMMC |
0110
|
MIO[22:13] |
K26 SOM には 2 つのストレージ デバイスがあり、ブート ファームウェアとオペレーティング システム (OS) のストレージ分離、または同様のデバイス ファームウェア分割により、プライマリ/セカンダリ ブート プロセスをサポートします。サポートされる階層型のブート プロセスとしては、パワーオン ブート ファームウェアを格納した QSPI を SOM のブート モードでプライマリ ブート デバイスに設定し、U-Boot などのパワーオン ブートローダーがセカンダリ ブート デバイスの eMMC から OS をロードするなどの例があります。