RLDRAM3 インターフェイスの信号と接続

Versal アダプティブ SoC PCB デザイン ユーザー ガイド (UG863)

Document ID
UG863
Release Date
2024-04-01
Revision
1.8 日本語

次の表に、RLD3 アプリケーションで使用する必須の信号を示します。36 ビットおよび 18 ビットの RLD3 デバイスの信号をそれぞれ示しています。

表 1. RLD3 信号の定義
信号 説明 必要な PCB 終端 信号配線の方法
クロック信号
CK/CK_B アドレス/コマンド クロック 図 2 参照 フライバイ
DK/DK_B[1:0] データ書き込みクロック なし、ODT を使用 ポイント ツー ポイント

QK/QK_B[3:0] (36 ビット)

QK/QK_B[1:0] (18 ビット)

データ読み出しクロック なし、ODT を使用 ポイント ツー ポイント
アドレス信号
A[20:0] アドレス 遠端の VTT に 39Ω フライバイ
BA[3:0] バンク アドレス 遠端の VTT に 39Ω フライバイ
コマンド/制御信号
CS_B チップ セレクト 遠端の VTT に 39Ω フライバイ
REF_B リフレッシュ 遠端の VTT に 39Ω フライバイ
WE_B 書き込みイネーブル 遠端の VTT に 39Ω フライバイ
データ信号

DQ[35:0] (36 ビット)

DQ[17:0] (18 ビット)

データ なし、ODT を使用 ポイント ツー ポイント
DM[1:0] データ マスク なし、ODT を使用 ポイント ツー ポイント
QVLD/QVLD[1:0] データ有効 なし 使用しない
その他の各種信号
RESET_B リセット 遠端の GND に 4.7kΩ フライバイ
RLD3 デバイスのみ
ZQ 外部インピーダンス GND に 240Ω メモリ デバイスごとに 1 つ
MF ミラー機能 GND へ直接接続 (フライバイの場合は 0Ω 抵抗を介して接続)。クラムシェルについては、図 1 を参照してください。 メモリ デバイスまたは共有フライバイごとに 1 つ
アダプティブ SoC のみ

IO_VR_7xx

IO_VR_8xx (存在する場合)

キャリブレーション基準

VCCO_7xx に 240Ω

VCCO_8xx (存在する場合) に 240Ω

 

RLDRAM3 の使用法としては、2 つの x36 RLD3 デバイスで x72 アーキテクチャを構成するのが一般的です。次の表に、クラムシェルとフライバイの接続をそれぞれ示します。

図 1. 幅を拡張したクラムシェル RLDRAM3 メモリ
図 2. 幅を拡張したフライバイ RLDRAM3 メモリ