このセクションでは、対角ジョグ ビア構造とダイアモンド ジョグ ビア構造のシミュレーション結果を詳しく比較します。
次の図に、対角ジョグ ブレークアウトとダイアモンド ジョグ ブレークアウトの例を示します。近接度が、密な近接 GND ビアと疎な近接 GND ビアの 2 つの GND ビア環境で、ブレークアウトによる違いを比較しました。理想的なのは、密な近接 GND ビアの方です。ただし、デバイスのピン配置によっては、疎な近接 GND ビアしか使用できないことがあります。
大まかに言えば、すべての指標においてダイアモンド ジョグ ブレークアウトの方が同等か良いシミュレーション結果となっています。密な近接 GND ビアの方が、疎な近接 GND ビアよりもわずかに良好です。第 1 層と第 3 層の信号トレース間のクロストークを最小にするには、第 2 層の GND キープアウトを円形にする必要があります。また、次の例に示すように、この構造の下層にも GND キープアウトを配置する必要があります。
次の図に示すように、密と疎の両方の GND ビア近接環境において、ダイアモンド ジョグ ブレークアウトと対角ジョグ ブレークアウトの挿入損失は、1dB の範囲内でした。
次の図に示すように、密と疎の両方の GND ビア近接環境において、ダイアモンド ジョグ ブレークアウトと対角ジョグ ブレークアウトの反射損失は、1dB の範囲内でした。
次の図に示すように、密と疎の両方の GND ビア近接環境において、ダイアモンド ジョグ ブレークアウトと対角ジョグ ブレークアウトの差動 TDR (時間領域反射測定) インピーダンスの差は 3Ω の範囲内でした。TDR は、導体に沿った反射波を測定します。
次の図に示すように、密と疎の両方の GND ビア近接環境において、ダイアモンド ジョグ ブレークアウトの方が対角ジョグ ブレークアウトよりも良好です。
