RLDRAM3 信号的物理设计规则

Versal 自适应 SoC PCB 设计 用户指南 (UG863)

Document ID
UG863
Release Date
2023-09-14
Revision
1.7 简体中文

下表定义了 RLD3 信号的布线规则。

表 1. RLD3 信号的物理设计规则
参数
阻抗规则
单端地址/命令/控制和数据信号的阻抗 50Ω 1 ± 10%
差分时钟 (CK)、数据写入时钟 (DK) 和数据读取时钟 (QK) 的阻抗 90Ω 1 ± 10%
最大走线长度规则
所有信号的最大 PCB 走线长度 5000 mil
地址/命令/控制信号的间隔规则
地址/命令/控制信号之间的最小间隔

3H 2 ,但是:

自适应 SoC 下为 1H

DDR4 器件下为 1H

地址/命令/控制信号与其他类型信号之间的最小间隔

5H,但是:

自适应 SoC 下为 2H

DDR4 器件下为 2H

数据信号的间隔规则
同一字节内数据/DK/QK 信号之间的最小间隔

3H,但是:

自适应 SoC 下为 1H

DDR4 器件下为 1H

不同字节间的数据/DK/QK 信号之间的最小间隔

5H,但是:

自适应 SoC 下为 2H

DDR4 器件下为 2H

数据/DK/QK 信号与其他类型信号之间的最小间隔

5H,但是:

自适应 SoC 下为 2H

DDR4 器件下为 2H

布线说明
x18 器件
DQ[8:0]、DK0、DK0_B、DM0、QK0 和 QK0_B 须在同一层上布线
DQ[17:9]、DK1、DK1_B、DM1、QK1 和 QK1_B 须在同一层上布线
x36 器件
DQ[8:0]、DQ[26:18]、DK0、DK0_B、DM0、QK0、QK0_B、QK2 和 QK2_B 须在同一层上布线
DQ[17:9]、DQ[35:27]、DK1、DK1_B、DM1、QK1、QK1_B、QK3 和 QK3_B 须在同一层上布线
  1. 考虑 PCB 制造公差的前提下,自适应 SoC 或 DRAM 器件下最大为 60Ω(单端)或 120Ω(差分)。
  2. H 是与最近接地回路层的距离。