为了以最小 IR 电压损耗传输电源轨所需的功耗，物理电源层设计很重要。如果内电层较窄或具有许多过孔禁圈，可能导致 IR 压降过大，调节器（即使有适当的传感线布局）可能难以应对此情况。AMD 强烈建议执行适当的电源分析，包括 PCB 布局前后的仿真，以确保遵循所有直流和交流规格要求。
关于 IR 压降的内电层设计，首先应考虑电源轨预期的总电流，每个电源层的目标压降应不大于建议的电压差（典型值 – 最小值）。此压降除以总电流，就是电源轨的最大电阻。
RMAX =（建议典型电压 – 建议最小电压）/总电流
建议的典型和最小电压值均可在数据手册中找到，总电流值则可在 PDM 工具中求得。
此最大电阻值仅与内电层上的 IR 压降相关，并未考虑任何散热或其他要求。将所有其他因素考虑在内时，实际最大平面电阻可能更低。
示例 1：VCCINT 的平面电阻
假设有一个中压器件 (M)，VCCINT 的典型电压为 0.80V。相应的最小电压为 0.775V。压降为 0.80V – 0.775V = 0.025V，或 25 mV。假设设计的 VCCINT 上有 99A 的总电流，则 RVCCINT = 0.025V/99A = 0.252 mΩ。
示例 2：VCCAUX 的平面电阻
根据数据手册，VCCAUX 典型值为 1.50V，最小值为 1.455V。压降为 1.50V – 1.455V = 0.045V，或 45 mV。假设设计的总电流为 8A，最大电阻为 0.045V/8A = 5.625 mΩ。