eFUSE 寄存器访问和编程 - 2023.2 简体中文

Vivado Design Suite 用户指南: 编程和调试 (UG908)

Document ID
UG908
Release Date
2023-10-19
Version
2023.2 简体中文
注释: 在 MPSoC 和 Versal 器件上不支持以下 eFUSE 访问和编程方法。

7 系列UltraScaleUltraScale+ 器件具有一次性可编程位(称为 eFUSE 位),这些位用于执行特定功能。不同 eFUSE 位类型如下所述:

  • FUSE_DNA - 存储唯一器件标识位(不可编程)。
  • FUSE_USER - 存储 32 位用户定义的代码。
  • FUSE_KEY - 存储密钥以供 AES 比特流解密器使用。
  • FUSE_CNTL - 控制密钥使用和对 eFUSE 寄存器的读写访问权。
  • FUSE_SEC - 控制 UltraScale 器件和 UltraScale+ 器件中的特殊器件安全性设置。
    重要: eFUSE 寄存器位编程只是一次性操作。eFUSE 寄存器位一经编程(从未编程状态 0 转换为已编程状态 1),就无法复位为 0 和/或重新编程。在对任意 eFUSE 寄存器进行编程前,应谨慎核查设置。
    警告:
    如有任何 eFUSE 寄存器位先前已编程(从未编程状态 0 转换为已编程状态 1),那么尝试对其再次进行编程时,Vivado 硬件管理器会发出严重警告,以指出部分位已编程。但即使出现此警告,先前操作期间尚未编程的后续 eFUSE 寄存器位(处于未编程状态 0)仍会继续进行编程。
    重要: AMD 建议首先对 FUSE_USER、FUSE_KEY 和 FUSE_RSA 寄存器进行编程,然后重新运行“eFUSE Programming”Wizard(eFUSE 编程向导),对 FUSE_SEC 位进行编程以控制 FPGA 安全性设置,最后对 FUSE_CNTL 位进行编程以控制对这些 eFUSE 位执行的读写访问。